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RC28F160C3BA110

Advanced Boot Block Flash Memory (C3)

The0.25μm3VoltAdvanced+BootBlock,manufacturedonIntel’slatest0.25μtechnology,representsafeature-richsolutionatoveralllowersystemcost.Smart3flashmemorydevicesincorporatelowvoltagecapability(2.7Vread,programanderase)withhigh-speed,low-poweroperation.Flexible

IntelIntel Corporation

英特爾

GT28F160C3BA110

AdvancedBootBlockFlashMemory(C3)

The0.25μm3VoltAdvanced+BootBlock,manufacturedonIntel’slatest0.25μtechnology,representsafeature-richsolutionatoveralllowersystemcost.Smart3flashmemorydevicesincorporatelowvoltagecapability(2.7Vread,programanderase)withhigh-speed,low-poweroperation.Flexible

IntelIntel Corporation

英特爾

TE28F160C3BA110

AdvancedBootBlockFlashMemory(C3)

The0.25μm3VoltAdvanced+BootBlock,manufacturedonIntel’slatest0.25μtechnology,representsafeature-richsolutionatoveralllowersystemcost.Smart3flashmemorydevicesincorporatelowvoltagecapability(2.7Vread,programanderase)withhigh-speed,low-poweroperation.Flexible

IntelIntel Corporation

英特爾

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RC28F160C3BA110

  • 功能描述：

    IC FLASH 16MBIT 110NS 64BGA

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    150

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲(chǔ)器：

    EEPROMs - 串行

  • 存儲(chǔ)器類型：

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量：

    4K(2 x 256 x 8)

  • 速度：

    400kHz

  • 接口：

    I²C，2 線串口

  • 電源電壓：

    2.5 V ~ 5.5 V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C

  • 封裝/外殼：

    8-VFDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    8-DFN（2x3）

  • 包裝：

    管件

  • 產(chǎn)品目錄頁面：

    1445(CN2011-ZH PDF)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Intel
23+
64-EasyBGA(10x13)
36430
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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INTEL/英特爾
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BGA
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 詢價(jià)
更多RC28F160C3BA110供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-17 16:30:00

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