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RE1C002UN

1.2V Drive Nch MOSFET; ?1.2V驅(qū)動型 Nch 小信號MOSFET;

電界効果晶體管的MOSFET。提供通過采用細(xì)微流程的「針對通信產(chǎn)品的超低阻值的設(shè)備」而產(chǎn)生的節(jié)能的功率MOSFET,并且結(jié)合用途,以多樣的小型高功率復(fù)合型的產(chǎn)品線對應(yīng)多種市場需求。

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RE1C002UN

Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RE1C002UNTCL

Nch 20V 200mA Small Signal MOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RE1C002ZP

Pch-20V-200mASmallSignallMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RU1C002UN

1.2VDriveNchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

RU1C002ZP

1.2VDrivePchMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

技術(shù)參數(shù)

  • 封裝:

    EMT3F

  • 包裝數(shù)量:

    3000

  • 最小獨立包裝數(shù)量:

    3000

  • 包裝形態(tài):

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-416FL

  • JEITA Package:

    SC-89

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    20

  • Drain Current ID[A]:

    0.2

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.):

    1.6

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.):

    1.2

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    0.8

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    1.6

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.15

  • Drive Voltage[V]:

    1.2

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    1.6x1.6 (t=0.85)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM/羅姆
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更多RE1C002UN供應(yīng)商 更新時間2025-7-30 10:12:00