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RF3L05150CB4分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

RF3L05150CB4
廠商型號

RF3L05150CB4

參數(shù)屬性

RF3L05150CB4 封裝/外殼為LBB;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:150 W, 28/32 V RF POWER LDMOS TR

功能描述

150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
150 W, 28/32 V RF POWER LDMOS TR

絲印標(biāo)識

3L05150

封裝外殼

LBB

文件大小

1.69952 Mbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 11:16:00

RF3L05150CB4規(guī)格書詳情

RF3L05150CB4屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的RF3L05150CB4晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    RF3L05150CB4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1GHz

  • 增益:

    23dB

  • 額定電流(安培):

    1μA

  • 功率 - 輸出:

    150W

  • 封裝/外殼:

    LBB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    LBB

  • 描述:

    150 W, 28/32 V RF POWER LDMOS TR

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