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RGS80TS65DHRC11_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-Rohm Semiconductor

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原廠料號：RGS80TS65DHRC11品牌：Rohm Semiconductor

資料說明：8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

RGS80TS65DHRC11是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TO-247-3的RGS80TS65DHRC11晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    rgs80ts65dhrc11

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RGS80TS65DHRC11

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    1.05mJ（開），1.03mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    37ns/112ns

  • 測試條件：

    400V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247N

  • 描述：

    8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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