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RI75N650T7

Marking：i75N65；Package：TO-247；IGBT

Feature 650V,75A Lowswitchingpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise AdvancedFieldstoptechnology LowEMI Maximumjunctiontemperature175°C QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications Pb-freeleadplating,halogen-freemoldcompound,RoHScompliant

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多RI75N650T7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 11:09:00

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