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RJH60D1DPP-M0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJH60D1DPP-M0
廠商型號

RJH60D1DPP-M0

參數(shù)屬性

RJH60D1DPP-M0 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL

功能描述

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

171.44 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-14 20:00:00

RJH60D1DPP-M0規(guī)格書詳情

Features

● Short circuit withstand time (5 ?s typ.)

● Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

● Built in fast recovery diode (70 ns typ.) in one package

● Trench gate and thin wafer technology

● High speed switching

tf = 75 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 10 A, Rg = 5 ?, inductive load)

Application: Inverter

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RJH60D1DPP-M0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    100μJ(開),130μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    30ns/42ns

  • 測試條件:

    300V,10A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220FL

  • 描述:

    IGBT 600V 20A 20.8W TO220FL

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
Renesas
21+
121
全新原裝鄙視假貨15118075546
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TO220
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只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
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RENESAS/瑞薩
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TO-220F
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RENESAS/瑞薩
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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Renesas
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TO220FL
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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RENESAS
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TO220
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