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RJH60F0DPQ-A0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=90nstyp.(atIC=30A,VCC=400V,VGE=15V,Rg=5

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F0DPQ-A0-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=25A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=90nstyp.(atIC=30A,VCC=400V,VGE=15V,Rg=5

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瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F0DPQ-A0_15

600 V - 25 A - IGBT High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F0DPQ-A0#T0

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A

Renesas Electronics America Inc

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詳細參數(shù)

  • 型號:

    RJH60F0DPQ-A0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
renesas進口
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Renesas Electronics America
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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Renesas Electronics America In
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更多RJH60F0DPQ-A0供應(yīng)商 更新時間2025-1-14 15:58:00