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RJK03L2DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

Features ?Highspeedswitching ?Capableof4.5Vgatedrive ?Lowdrivecurrent ?Highdensitymounting ?Lowon-resistance RDS(on)=4.2mΩtyp.(atVGS=10V) ?Pb-free ?Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RJK03L2DNS-00-J5

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多RJK03L2DNS-00-J5供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-8 14:44:00

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