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RJP63F3DPP-M0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RJP63F3DPP-M0
廠商型號(hào)

RJP63F3DPP-M0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

186.2 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 15:01:00

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RJP63F3DPP-M0規(guī)格書詳情

Features

? Trench gate and thin wafer technology (G6H series)

? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.7 V typ

? High speed switching tf = 100 ns typ

? Low leak current ICES = 1 μA max

? Isolated package TO-220FL

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RJP63F3DPP-M0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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