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RM45N600T2

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES RobustHighVoltageTermination AvalancheEnergySpecified Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature IsolatedMountingHoleReducesMountingHar

RECTRON

Rectron Semiconductor

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多RM45N600T2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 11:06:00

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