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RM47N600T2

Power Field Effect Transistor

FEATURES RobustHighVoltageTermination AvalancheEnergySpecified Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits lossandVos(on)SpecifiedatElevatedTemperature. IsolatedMountingHoleReducesMounting

RECTRON

Rectron Semiconductor

RECTRON

RM47N600T2

MOSFET

RectronRectron Semiconductor

麗正

Rectron

RM48L540DPGETR

TI/德州儀器
原廠封裝

TI/德州儀器

上傳:深圳市騰勝芯科技有限公司

TI/德州儀器

RM4TR32

施耐德
直插

施耐德

RM6203

亞成微
DIP-8

亞成微

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多RM47N600T2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 11:06:00