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RM47N600T2

Power Field Effect Transistor

FEATURES RobustHighVoltageTermination AvalancheEnergySpecified Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits lossandVos(on)SpecifiedatElevatedTemperature. IsolatedMountingHoleReducesMounting

RECTRON

Rectron Semiconductor

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更多RM47N600T2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-9 11:06:00

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