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RMLV0408E集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

RMLV0408E
廠商型號

RMLV0408E
參數(shù)屬性

RMLV0408E 封裝/外殼為32-TFSOP（0.465"，11.80mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP
功能描述

4Mb Advanced LPSRAM
封裝外殼

32-TFSOP（0.465"，11.80mm 寬）
文件大小

294.52 Kbytes
頁面數(shù)量

12 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-3 23:00:00
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RMLV0408E規(guī)格書詳情

Description

The RMLV0408E Series is a family of 4-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0408E Series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The RMLV0408E Series offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 32-pin SOP, 32-pin TSOP II or 32-pin STSOP.

Features

Single 3V supply: 2.7V to 3.6V

Access time: 45/55ns (max.)

Current consumption: Standby: 0.4μA (typ.)

Equal access and cycle times

Common data input and output

──Three state output

Directly TTL compatible

──All inputs and outputs

Battery backup operation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    RMLV0408EGSA-4S2#AA1

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    45ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    32-TFSOP（0.465"，11.80mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-TSOP I

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32STSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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