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RMLV0808BGSB-4S2集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
RMLV0808BGSB-4S2 |
| 參數(shù)屬性 | RMLV0808BGSB-4S2 封裝/外殼為44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II |
| 功能描述 | 8Mb Advanced LPSRAM (1024k word × 8bit) |
| 封裝外殼 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） |
| 文件大小 |
323.22 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
13 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-14 14:50:00 |
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Description
The RMLV0808BGSB is a family of 8-Mbit static RAMs organized 1,048,576-word × 8-bit, fabricated by Renesas’s
high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0808BGSB has realized higher density, higher
performance and low power consumption. The RMLV0808BGSB offers low power standby power dissipation;
therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 44pin TSOP (II).
Features
? Single 3V supply: 2.4V to 3.6V
? Access time:
── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)
── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)
? Current consumption:
── Standby: 0.45μA (typ.)
? Equal access and cycle times
? Common data input and output
── Three state output
? Directly TTL compatible
── All inputs and outputs
? Battery backup operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
RMLV0808BGSB-4S2#HA0
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM
- 存儲容量：
8Mb（1M x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
45ns
- 電壓 - 供電：
2.4V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP II
- 描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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