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RMLV0816BGSD-4S2集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
RMLV0816BGSD-4S2 |
參數(shù)屬性 | RMLV0816BGSD-4S2 封裝/外殼為52-TFSOP(0.350",8.89mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II |
功能描述 | 8Mb Advanced LPSRAM (512k word × 16bit / 1024k word x 8bit) |
封裝外殼 | 52-TFSOP(0.350",8.89mm 寬) |
文件大小 |
343.82 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-27 16:34:00 |
人工找貨 | RMLV0816BGSD-4S2價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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- RMLV0416EGBG-4S2#AC0
RMLV0816BGSD-4S2規(guī)格書詳情
Description
The RMLV0816BGSD is a family of 8-Mbit static RAMs organized 524,288-word × 16-bit, fabricated by Renesas’s
high-performance Advanced LPSRAM technologies. The RMLV0816BGSD has realized higher density, higher
performance and low power consumption. The RMLV0816BGSD offers low power standby power dissipation;
therefore, it is suitable for battery backup systems. It is offered in 52pin ?TSOP (II).
Features
? Single 3V supply: 2.4V to 3.6V
? Access time:
── Power supply voltage from 2.7V to 3.6V: 45ns (max.)
── Power supply voltage from 2.4V to 2.7V: 55ns (max.)
? Current consumption:
── Standby: 0.45μA (typ.)
? Equal access and cycle times
? Common data input and output
── Three state output
? Directly TTL compatible
── All inputs and outputs
? Battery backup operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
RMLV0816BGSD-4S2#AC0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM
- 存儲容量:
8Mb(1M x 8,512K x 16)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
45ns
- 電壓 - 供電:
2.4V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
52-TFSOP(0.350",8.89mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
52-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 52TSOP II
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
21+ |
NA |
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Renesas(瑞薩) |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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