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首頁(yè)>RN1104MFV,L3F>芯片詳情
RN1104MFV,L3F 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置 HARTING/浩亭
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
RN1104MFV,L3F
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 10mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 500μA,5mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
500nA
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-723
- 供應(yīng)商器件封裝:
VESM
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市芯祺盛科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
黃佩怡
- 手機(jī):
18218024427
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82562124
- 傳真:
0755-82562124
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈511
相近型號(hào)
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