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RN1109分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN1109
廠商型號

RN1109

參數(shù)屬性

RN1109 封裝/外殼為SC-75,SOT-416;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

封裝外殼

SC-75,SOT-416

文件大小

335.78 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-27 17:49:00

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晶體管資料

  • 型號:

    RN1109

  • 別名:

    RN1109三極管、RN1109晶體管、RN1109晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    DTC144WE,

  • 最大耗散功率:

    0.1W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.1

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RN1109,LF(CT

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-75,SOT-416

  • 供應商器件封裝:

    SSM

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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