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RN1119MFV,L3F_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號(hào)：RN1119MFV,L3F品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

RN1119MFV,L3F是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-723的RN1119MFV,L3F晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置預(yù)偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設(shè)計(jì)用于在未施加輸入信號(hào)的情況下將器件保持在偏置或工作點(diǎn)附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號(hào)。預(yù)偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項(xiàng)目成本。

  • 芯片型號(hào)：

    rn1119mfv,l3f

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RN1119MFV,L3F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Toshiba Semiconductor and Stor
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