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RN1119MFV 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置 TOSHIBA/東芝
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
原廠料號(hào):RN1119MFV品牌:TOSHIBA
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
- 芯片型號(hào):
RN1119MFV
- 規(guī)格書(shū):
- 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):
TOSHIBA【東芝】詳情
- 廠商全稱(chēng):
Toshiba Semiconductor
- 中文名稱(chēng):
株式會(huì)社東芝
- 內(nèi)容頁(yè)數(shù):
5 頁(yè)
- 文件大?。?/span>
149.76 kb
- 資料說(shuō)明:
nullTOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
產(chǎn)品參考屬性
- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
RN1119MFV,L3F
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類(lèi)別:
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類(lèi)型:
NPN - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 1mA,5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
300mV @ 500μA,5mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-723
- 供應(yīng)商器件封裝:
VESM
- 描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳兆威電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
鄭小姐
- 手機(jī):
19926409052
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82532883
- 傳真:
0755-83203002
- 地址:
廣東深圳龍崗區(qū)坂田街道中興路11號(hào)城市山海中心C棟606-608
相近型號(hào)
- RN1118MFV(TPL3)
- RN1119MFV,L3F
- RN1118MFV(TL3PAV)
- RN1119MFVL3F
- RN1118MFV(TL3,T)
- RN-111B-E
- RN1118MFV
- RN-111B-EVAL
- RN1118(TE85L,F)
- RN-111B-R
- RN1118(TE85L
- RN-111B-S
- RN1118(T5LAISIN,F)
- RN-111B-W
- RN1118(T5L,F,T)
- RN111N281B-TR
- RN111PC
- RN1117MFVL3F
- RN112-0,8-02
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- RN1117MFV
- RN112-0.4-02-39MH
- RN1117,LF(J
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- RN1117(T5L,F,T)
- RN112-0.5-02-18M
- RN1117
- RN112-0.5-02-27M
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- RN112-0.6-02
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- RN112-0.8-02
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- RN112-0.8-02-10M
- RN1116MFV
- RN1116LF(CT
- RN112-1.2/02
- RN1116F