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RN1414分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

RN1414
廠商型號(hào)

RN1414

參數(shù)屬性

RN1414 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

272.41 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-15 17:27:00

RN1414規(guī)格書詳情

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

● With built-in bias resistors

● Simplified circuit design

● Reduced number of parts and simplified manufacturing process

● Complementary to RN2414 to RN2418

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RN1414,LF

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 250μA,5mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    S-Mini

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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