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UPA1723

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) ?LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ?Built-inG-Sprotectiondiode ?Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA1723G

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=7.0A) ?LowCiss:Ciss=3800pFTYP. ?Built-inG-Sprotectiondiode ?Smallandsurfacemountpackage(PowerSOP

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瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA1723G

SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION TheμPA1723isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementswitch. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.7m?MAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) RDS(on)2=7.4m?MAX.(VGS=4.0V,ID=7.0A) RDS(on)3=8.7m?MAX.(VGS=2.5V,ID=7.

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

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更多RN1723供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-21 13:46:00

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