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RN1906中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RN1906
廠商型號

RN1906

功能描述

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

文件大小

271.5 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-13 15:57:00

晶體管資料

  • 型號:

    RN1906

  • 別名:

    RN1906三極管、RN1906晶體管、RN1906晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_差分放大器射極輸出 (Dual)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    6

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-23

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.2

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RN1906

  • 制造商:

    TOSHIBA

  • 制造商全稱:

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述:

    TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
22+23+
SOT363
10230
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SOT-363
23+
NA
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23+
SOT363
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