RN2103分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
RN2103 |
| 參數(shù)屬性 | RN2103 封裝/外殼為SC-75，SOT-416；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) |
| 封裝外殼 | SC-75，SOT-416 |
| 文件大小 |
256.73 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-24 18:17:00 |
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RN2103規(guī)格書詳情
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
And Driver Circuit Applications
Built-in bias resistors
Simplified circuit design
Fewer parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN1101~RN1106
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
RN2103,LF(CT
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 10mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 250μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
500nA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SC-75，SOT-416
- 供應(yīng)商器件封裝：
SSM
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-523 |
23+ |
NA |
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TOSHIBA |
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SOT-523 |
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