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RN2106MFV,L3XHF(CT_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-單預偏置-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：RN2106MFV,L3XHF(CT品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER

RN2106MFV,L3XHF(CT是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-723的RN2106MFV,L3XHF(CT晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    rn2106mfv,l3xhf(ct

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  • 資料說明：

    AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RN2106MFV,L3XHF(CT

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    80 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Toshiba Semiconductor and Stor
24+
SOT-723
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
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9350
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原裝正品現(xiàn)貨
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