RT8152D

單相 CPU/GPU 內(nèi)核供電同步降壓型 DC/DC PWM 控制器; ? 集成了 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的單相 PWM 控制器\n? 采用了低增益補(bǔ)償器和 CCRCOT （固恒流紋波恒定導(dǎo)通時(shí)間）相結(jié)合的控制技術(shù)\n? 采用7位 DAC 轉(zhuǎn)換器\n? 0.8% DAC 精度\n? 1.5% 或 11.5mV 的系統(tǒng)精度\n? 恒定的啟動(dòng)電壓 VBOOT （僅針對 CPU 內(nèi)核）\n? 差分遠(yuǎn)程電壓檢測\n? G-NAVP (Green-Native AVP，綠能原生動(dòng)態(tài)電壓定位)控制技術(shù)\n? 可程序設(shè)計(jì)控制輸出電壓轉(zhuǎn)移速率\n? 系統(tǒng)熱補(bǔ)償 AVP\n? 輕載模式下無振鈴信號\n? 快速瞬態(tài)響應(yīng)\n? IMVP6.5 兼容的電源管理狀態(tài)\n? 電源準(zhǔn)備好信號輸出\n? 時(shí)鐘使能輸出(僅供 CPU 內(nèi)核使用)\n? 熱調(diào)節(jié)輸出\n? 電流監(jiān)控輸出\n? 開關(guān)切換工作頻率可達(dá) 1MHz \n? 完備的保護(hù)功能：OVP, UVP, OCP, OTP, UVLO, NVP\n? 32引腳 WQFN 封裝\n? 符合 RoHS 規(guī)范，不含鹵素\n;

RT8152C/D 是集成了 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的、符合 Intel IMVP6.5 電壓調(diào)節(jié)器規(guī)范的、可為移動(dòng) CPU 內(nèi)核和圖像渲染器內(nèi)核供電的單相 PWM 控制器。它采用了立锜專有的、基于有限直流增益補(bǔ)償器的恒定導(dǎo)通時(shí)間模式的 G-NAVP (Green-Native AVP) 控制技術(shù)，使之成為易于使用的 PWM 控制器以滿足 Intel AVP（Active Voltage Positioning, 動(dòng)態(tài)電壓定位）移動(dòng)CPU/圖像渲染器的需要。其輸出電壓由7位的 VID 碼進(jìn)行設(shè)定，內(nèi)建的高精度 DAC 轉(zhuǎn)換器可將 VID 碼轉(zhuǎn)換為0V~1.5V的輸出電壓，電壓級差為 12.5mV ，其系統(tǒng)控制精度可達(dá)1.5%。芯片支持 VID 碼的動(dòng)態(tài)改變，也支持工作模式的動(dòng)態(tài)改變，完全符合 IMVP6.5 的規(guī)格。它可工作在單相模式和二極管管仿真模式，在不同的負(fù)載條件下，不同的模式可是效率高達(dá)90%。其負(fù)載變化造成的電壓降變化所形成的負(fù)載線可以被很容易地設(shè)定，這可通過對誤差放大器的支流增益的改變來完成。借助適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，負(fù)載瞬變造成的響應(yīng)之特性可達(dá)成優(yōu)化 AVP 性能表現(xiàn)的效果。芯片的軟起動(dòng)過程和電壓轉(zhuǎn)移速率可通過一只電容進(jìn)行調(diào)節(jié)，它還支持 DCR 和電阻電流檢測兩種電流檢測方式。RT8152C/D 按照 IMVP6.5 規(guī)范圖像渲染處理器的需要提供電源準(zhǔn)備好和熱調(diào)節(jié)輸出信號，還有附加的時(shí)鐘使能信號滿足 CPU 內(nèi)核的需求。它也同時(shí)具有完備的故障保護(hù)功能，這包括了過壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、負(fù)壓保護(hù)、過流保護(hù)和熱關(guān)機(jī)保護(hù)等。它的封裝是小型的 WQFN-32L 5x5 的規(guī)格。

RT8152D

Single-Phase PWM Controller for CPU / GPU Core Power Supply

RT8152E

Single-PhasePWMControllerforCPU/GPUCorePowerSupply

RT8152F

Single-PhasePWMControllerforCPU/GPUCorePowerSupply

RTl8152B

INTEGRATED10/100METHERNETCONTROLLER

RTL8152B-VB-CG

INTEGRATED10/100METHERNETCONTROLLER

SZNUF8152

8-ChannelEMIFilterwithIntegratedESDProtection

TD-8152

MICROWAVENOISETUBES&NOISESOURCES

DESCRIPTION CPClare’sTDSeriesofgasdischargemicrowavenoisetubesandTNSeriesofgasdischargemicrowavenoisesourcesaretheelementinamicrowaveRFsystemthatallowsaccuratemeasurementsofthenoisefigureofthereceiveroritscomponents.Therequirementsofadeviceusedforma

UPC8152TA

BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS

FEATURES ?Lowcurrentconsumption:UPC8128TA;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TA;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TA;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V ?Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V ?Highefficiency:UPC8128TA;PO(1dB)=-4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TA;PO

UPC8152TA

SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES

DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern