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S1423 | SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) GENERALPURPOSEAMPLIFIERANDLOWNOISEAMPLIFIERAPPLICATIONS. FEATURES: -ExcellenthFELinearity:hFE(0.1mA)hFE(2mA) =0.95(Typ.) .DesignedforComplementaryUsewithS1420(hFE=70700 ; .SmallCollectorOutputCapacitance:Cob=4.5pF(Max.) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | |
BoostConverterSync-Rect,PFM,DC-DC,True-Cutoff,Ring-Killer400mA NCP1423isamonolithicmicropowerhighfrequencystep?up switchingconverterICspeciallydesignedforbatteryoperatedhand ?heldelectronicproducts.ItintegratesSynchronousRectifierfor improvingefficiencyaswellaseliminatingtheexternalSchottky Diode.Highswitchingfrequency(up | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
RF&MICROWAVETRANSISTORS800-960MHzBASESTATIONAPPLICATIONS DESCRIPTION TheSD1423isagoldmetallizationepitaxialsiliconNPNplanartransistorusingdiffusedemitterballastresistorsforhighlinearityClassABoperationforcellularbasestationapplications.TheSD1423isdesignedasamediumpoweroutputdeviceorasthedriverfortheSD1424. ■ | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFET500V,2A,4.9,SingleTP/TP-FA N-ChannelPowerMOSFET 500V,2A,4.9Ω,SingleTP/TP-FA Features ?ON-resistance ?Protectiondiodein ?4Vdrive | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General-PurposeSwitchingDeviceApplications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?LowON-resistance. ?4Vdrive. | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
N-ChannelPowerMOSFET500V,2A,4.9,SingleTP/TP-FA N-ChannelPowerMOSFET 500V,2A,4.9Ω,SingleTP/TP-FA Features ?ON-resistance ?Protectiondiodein ?4Vdrive | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeMOSFET | SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司 | SYNC-POWER | ||
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Transformer | RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc. | RHOMBUS-IND |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_通用 （G）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
0.2A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BCX30,2N5401,
- 最大耗散功率：
0.5W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
A-20
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
0.2
- wtest：
0.5
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