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SLK2721

OC-48FEC/24/12/3SONET/SDHMULTIRATETRANSCEIVER

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

SLK2721IPZP

OC-48FEC/24/12/3SONET/SDHMULTIRATETRANSCEIVER

TI1Texas Instruments

德州儀器

SLK2721IPZP

OC-48FEC/24/12/3SONET/SDHMULTIRATETRANSCEIVER

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

SLK2721PZP

OC-48FEC/24/12/3SONET/SDHMULTIRATETRANSCEIVER

TI1Texas Instruments

德州儀器

TLV2721

AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILVERYLOW-POEWRSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TLV2721

AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILVERYLOW-POWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS

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TLV2721CDBV

AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILVERYLOW-POWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS

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TLV2721CDBV

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TLV2721CDBVR

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TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TLV2721CDBVT

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TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TLV2721IDBV

AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILVERYLOW-POEWRSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TLV2721IDBV

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TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TLV2721IDBVR

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TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TLV2721IDBVT

AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILVERYLOW-POEWRSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TLV2721Y

AdvancedLinCMOSERAIL-TO-RAILVERYLOW-POWERSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TLV2721Y

AdvancedLinCMOSRAIL-TO-RAILVERYLOW-POEWRSINGLEOPERATIONALAMPLIFIERS

TITexas Instruments

德州儀器美國德州儀器公司

TZ2721A

CrystalUnitSMD1.6x1.237.4MHz

Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount1.6mmx1.2mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

TZ2721B

CrystalUnitSMD1.6x1.237.4MHz

Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage MoistureSensitivityLevel(MSL):Level-1 DescriptionandApplications: Surfacemount1.6mmx1.2mmcrystalunitforuseinwireless

TAI-SAW

TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

UPA2721AGR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2721AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebookcomputer. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=5.0V,ID=10A) ?Lowinputcapacitance C

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

UPA2721GR

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2721GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=6.3mΩMAX.(VGS=4.5V,

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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