SD1143分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SD1143 |
| 參數(shù)屬性 | SD1143 封裝/外殼為M113；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | M113 |
| 文件大小 |
173.02 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-24 23:21:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
SD1143三極管、SD1143晶體管、SD1143晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
高頻放大（AH）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
36V
- 最大電流允許值：
2A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
4
- 可代換的型號(hào)：
3DK106B,
- 最大耗散功率：
37W
- 放大倍數(shù)：
β>5
- 圖片代號(hào)：
G-105
- vtest：
36
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
37
SD1143規(guī)格書(shū)詳情
SD1143屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的SD1143晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
DESCRIPTION
The SD1143 is a 12.2 V Class C epitaxial silicon NPN planar
transistor designed primarily for VHF Communications. It withstands
very high VSWR under operating conditions.
KEY FEATURES
175 MHz
12.5 Volts
Common Emitter
POUT = 10 W Min.
GP = 10 dB Gain
APPLICATIONS/BENEFITS
VHF Mobile Applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SD1143-01
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
18V
- 頻率 - 躍遷：
175MHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
20W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
5 @ 250mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
2A
- 工作溫度：
200°C
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M113
- 供應(yīng)商器件封裝：
M113
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STUD |
24+ |
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詢價(jià) | ||||
ST |
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