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SD56120

RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORS

Description TheSD56120isacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheSD56120isdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcemode

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SD56120

HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF

HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF VHF/UHFradioanddigitalcellularBTSapplications HFto2000MHzclassABcommonsource-PowerFLAT VHF/UHFradioapplications HFto2000MHzclassABcommoncource-ceramicpackages UHFTVanddigitalcellularBTSapplications 2to

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etc未分類制造商未分類制造商

ETC1

SD56120

120W 28V HF to 1GHz LDMOS TRANSISTOR in push-pull package

? Excellent thermal stability\n? POUT = 100W with 14dB gain @ 860MHz? Common source configuration Push-pull\n? BeO free package;

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ST

SD56120

RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

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SD56120

Package：M246；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 860MHZ M246

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SD56120C

Excellent thermal stability

Description TheSD56120CisacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheSD56120Cisdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcem

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SD56120M

RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY

DESCRIPTION TheSD56120MisacommonsourceN-Channelenhancement-modelateralField-EffectRFpowertransistordesignedforbroadbandcommercialandindustrialapplicationsatfrequenciesupto1.0GHz.TheSD56120Misdesignedforhighgainandbroadbandperformanceoperatingincommonsourcem

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SD56120M

HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF

HFto2000MHzClassABCommonSource-PowerSO-10RF VHF/UHFradioanddigitalcellularBTSapplications HFto2000MHzclassABcommonsource-PowerFLAT VHF/UHFradioapplications HFto2000MHzclassABcommoncource-ceramicpackages UHFTVanddigitalcellularBTSapplications 2to

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

ETC1

SD56120_06

RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

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SD56120M

Package：M252；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 860MHZ M252

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SD56120

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    860MHz

  • 增益：

    16dB

  • 額定電流（安培）：

    14A

  • 功率 - 輸出：

    100W

  • 封裝/外殼：

    M246

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M246

  • 描述：

    FET RF 65V 860MHZ M246

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
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房間現(xiàn)貨庫存:QQ:373621633
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更多SD56120供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 16:04:00

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