SD57120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
SD57120 |
| 參數(shù)屬性 | SD57120 封裝/外殼為M252；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 960MHZ M252 |
| 功能描述 | RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILY |
| 封裝外殼 | M252 |
| 文件大小 |
63.29 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-23 17:55:00 |
| 人工找貨 | SD57120價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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SD57120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的SD57120晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
HF to 2000 MHz Class AB Common Source - PowerSO-10RF
VHF / UHF radio and digital cellular BTS applications
HF to 2000MHz class AB common source - PowerFLAT
VHF / UHF radio applications
HF to 2000MHz class AB common cource - ceramic packages
UHF TV and digital cellular BTS applications
2 to 400MHz class AB common source N channel MOSFETs
HF / SSB, FM / VHF broadband applications
2 to 30MHz class AB linear, common emitter, HF / SSB
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
SD57120
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
960MHz
- 增益：
14dB
- 額定電流（安培）：
14A
- 功率 - 輸出：
120W
- 封裝/外殼：
M252
- 供應(yīng)商器件封裝：
M252
- 描述：
FET RF 65V 960MHZ M252
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJITSU |
2018+ |
BGA |
6528 |
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詢價(jià) | ||
ST |
TO-62 |
36900 |
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HUAWEI |
2138+ |
BGA |
8960 |
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ST |
23+ |
TO-62 |
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BGA |
5000 |
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BGA |
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