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SDS065J006B3中文資料三安光電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SDS065J006B3
廠商型號(hào)

SDS065J006B3

功能描述

3 rd Generation 650 V/ 6 A SiC Schottky Barrier Diode

文件大小

753.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Sanan Optoelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SANAN三安光電

中文名稱

三安光電股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-25 10:02:00

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SDS065J006B3規(guī)格書(shū)詳情

Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC)

N o reverse recovery

High s peed switching performance

Temperature independent switching behavior

System cost / size savings due to reduced cooling requirements

J unction temperature range from 55 to 175

RoHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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