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SE30DT12

Surface-Mount High Voltage Rectifier

FEATURES ?Creepageandclearancedistance3.7mm typical ?Verylowprofile-typicalheightof1.7mm ?Idealforautomatedplacement ?Oxideplanarchipjunction ?Lowforwardvoltagedrop ?AEC-Q101qualified ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C ?Materialca

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SE30DT12HM3/I

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型;包裝:管件 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

SE30DT12-M3/I

Package:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 凸片)變型;包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述:1200V 30A SURFACE-MOUNT HIGH VOL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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Vishay General Semiconductor -
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更多SE30DT12供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 14:08:00