SGB02N120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
SGB02N120 |
| 參數(shù)屬性 | SGB02N120 封裝/外殼為TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3 |
| 功能描述 | Fast IGBT in NPT-technology Lower Eoff compared to previous generation |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 文件大小 |
439.41 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 17:08:00 |
SGB02N120規(guī)格書詳情
SGB02N120屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SGB02N120晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
SGB02N120ATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
NPT
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.6V @ 15V，2A
- 開關(guān)能量：
220μJ
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
23ns/260ns
- 測試條件：
800V，2A，91 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：
PG-TO263-3-2
- 描述：
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
TO-263 |
98900 |
原廠集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨- |
詢價 | |||
Infineon/英飛凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6820 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
英飛凌|Infineon |
21+ |
TO-263 |
12588 |
原裝正品,量大可定 |
詢價 | ||
24+ |
8866 |
詢價 | |||||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
TO-263 |
3750 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
Infineon |
1728+ |
? |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價 | ||
Infineon(英飛凌) |
2112+ |
PG-TO263-3 |
115000 |
1000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨, |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
PG-TO263-3 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 |
