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SGM2016P中文資料索尼數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SGM2016P
廠商型號(hào)

SGM2016P

功能描述

GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

文件大小

112.28 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Sony Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Sony索尼

中文名稱

索尼官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 22:30:00

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SGM2016P規(guī)格書(shū)詳情

Description

The SGM2016M/P is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular radio, and DBS IF amplifiers.

Features

? Low voltage operation

? Low noise NF = 1.2dB (typ.) at 900MHz

? High gain Ga = 21dB (typ.) at 900MHz

? High stability

? Built-in gate protection diode

Application

UHF-band high-frequency amplifier, mixer, and oscillator

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SGM2016P

  • 制造商:

    SONY

  • 制造商全稱:

    Sony Corporation

  • 功能描述:

    GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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