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SKW20N60

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

FastS-IGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode ?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor: -Motorcontrols -Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicatio

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKW20N60

FastIGBTinNPT-technologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmCondiode

InfineonInfineon Technologies AG

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SKW20N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology

HighSpeedIGBTinNPT-technology ?30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedforoperationabove30kHz ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature

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SKW20N60HS

HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA20N60CFD

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?WithTO-220Fpackage ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistance ?Reducedswitchingandconductionlosses ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplication

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

SPA20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

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英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA20N60CFD

CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SPA20N60CFD

CoolMOSPowerTransistor

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelylowreverserecoverycharge ?Ultralowgatecharge ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Periodicavalancherated ?Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording

InfineonInfineon Technologies AG

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SPI20N60CFD

CoolMOS??PowerTransistorFeatureNewrevolutionaryhighvoltagetechnology

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?WorldwidebestRDS(on)inTO220 ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?Intrinsicfast-recoverybodydiode ?Extremelowreverserecoverycharge ?Pb-freeleadplating;

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SPI20N60CFD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRIPTION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.22? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SGW20N60RUFTM

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 600V/ 20A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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AI智能識別、工業(yè)、汽車、醫(yī)療方案LPC批量及配套一站
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