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SGW30N60HS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGW30N60HS
廠商型號(hào)

SGW30N60HS
參數(shù)屬性

SGW30N60HS 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 41A 250W TO247-3
功能描述

High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation
IGBT 600V 41A 250W TO247-3
絲印標(biāo)識(shí)

G30N60HS
封裝外殼

PG-TO-247-3 / TO-247-3
文件大小

389.58 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon【英飛凌】

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-22 20:43:00
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SGW30N60HS規(guī)格書詳情

SGW30N60HS屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的SGW30N60HS晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

High Speed IGBT in NPT-technology

? 30 lower Eoff compared to previous generation

? Short circuit withstand time – 10 μs

? Designed for operation above 30 kHz

? NPT-Technology for 600V applications offers:

- parallel switching capability

- moderate Eoff increase with temperature

- very tight parameter distribution

? High ruggedness, temperature stable behaviour

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1

for target applications

? Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGW30N60HSFKSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    3.15V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    1.15mJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    20ns/250ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，30A，11 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO247-3-1

  • 描述：

    IGBT 600V 41A 250W TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon
/
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