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SI1305DL-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VB SC70-3	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司相關(guān)企業(yè)：京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	VBSEMI
SI1305DL-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SOT323	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán) 相關(guān)企業(yè)：深圳市科翼源電子有限公司	TFUNK
SI1305DL-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SOT323	BARRY Vishay Barry 相關(guān)企業(yè)：深圳市科翼源電子有限公司	BARRY
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SI1305DL-T1-GE3
功能描述：
MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3
RoHS：
是
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
TrenchFET®
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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