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SI2302中文資料金譽半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI2302
廠商型號

SI2302
功能描述

20 V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
文件大小

4.06584 Mbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡稱

HTSEMI【金譽半導(dǎo)體】

中文名稱

深圳市金譽半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-2-9 18:26:00

SI2302規(guī)格書詳情

VDS= 20V

RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 3.6A < 85mΩ

RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 2.0A

Features

? Advanced trench process technology

? High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    SI2302

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 3A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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