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Si2365EDS

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

·TrenchFET? power MOSFET\n·100 % Rg tested\n·Built-in ESD protection - Typical ESD performance 3000 V\n;

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SI2365EDS

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/p6/marking.html">P6***;Package:SOT-23;P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SI2365EDS

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SI2365EDS-T1-GE3

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?LoadSwitch ?PASwitch ?DC/DCConverters

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

VBSEMI

SI2365EDS_V01

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SI2365EDS

  • 功能描述:

    MOSFET -20V 32mOhm@4.5V 5.9A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Vishay(威世)
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
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Vishay(威世)
23+
N/A
11800
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更多SI2365EDS供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 20:00:00