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SI3440DV-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?LowOn-Resistance ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

TPSI3440DV-T1-GE3

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features BVDSS ID@VGS-10V,TA=25°C RDS(ON)typ.@VGS-10V,ID-1.5A 150V 1.5A |240mΩ

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

SI3443DDV-T1-GE3

VISHAY
TSOP-6

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

上傳：深圳市金芯陽科技有限公司

Vishay

SI3462-E01-GMIC

SILICON LABS/芯科
QFN11

SILICON LABS/芯科

上傳：深圳龐田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI3462-E01-GMR

SILICON
QFN11

SILICON

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SI3440DV-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 150V 1.5A 2.0W 375mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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更多SI3440DV-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 9:05:00

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