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SI4190DY-T1-GE3

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCPrimarySideSwitch ?Telecom/Server ?Industrial

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI4190DY-T1-GE3

N-Channel 100-V (D-S) Super Trench Power MOSFET

FEATURES ?SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET ?ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) ?Verylowon-resfistanceRds(on) ?100RgandUISTested APPLICATIONS ?DC/DCPrimarySideSwitch ?Telecom/Server ?MotorDriveControl ?SynchronousRectification

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SI4190DY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY/威世
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Vishay(威世)
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原廠原裝現(xiàn)貨
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Vishay Siliconix
2022+
8-SOIC(0.154
38550
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更多SI4190DY-T1-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 17:06:00

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