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SI4435DYTRPBF

Ultra Low On-Resistance

VDSS=-30V RDS(on)=0.020? Description TheseP-channelHEXFET?PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforusei

IRF

International Rectifier

IRF

SI4435FDY

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SM4435KC-TRL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺灣)有限公司

VBSEMI

SPP4435

P-ChannelEnhancementModeMOSFET

SYNC-POWERSYNC POWER Crop.

擎力科技擎力科技股份有限公司

SYNC-POWER

SI4438-B1C-FM

SILICOM
QFN-20

SILICOM

Silicom Ltd.

上傳:深圳市吉銘電子科技有限公司

SILICOM

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    SI4435DYTRPBF

  • 功能描述:

    MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多SI4435DYTRPBF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 17:13:00