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SI4562DY-T1-E3

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?MotorDrive ?MobilePowerBank

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

SI4562DY-T1-E3

N- and P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET:2.5Rated ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

詳細參數(shù)

  • 型號:

    SI4562DY-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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10000
高品質(zhì)替代,技術支持,參數(shù)選型
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更多SI4562DY-T1-E3供應商 更新時間2025-1-24 10:10:00