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SI4642DY-T1-GE3

VISHAY
SOIC-8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

相關(guān)企業(yè)：京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司

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VISHAY
SOIC-8

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SI4642DY-T1-GE3

VISHAY
SOIC-8

BARRY

Vishay Barry

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SI4642DY-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 34A 7.8W 3.75mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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SOIC-8
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VISHAY/威世
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SOP-8
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VISHAY/威世
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Vishay Siliconix
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8SOIC
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VISHAY
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SOP8
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更多SI4642DY-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-20 14:00:00

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