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SI4909DY-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI4909DY-T1-GE3
廠商型號

SI4909DY-T1-GE3

功能描述

Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件大小

215.46 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-10 18:56:00

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SI4909DY-T1-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? power MOSFET

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization:?

for definitions of compliance please

see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Load switches?

- Notebook PCs?

- Desktop PCs

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SI4909DY-T1-GE3

  • 制造商:

    Vishay Angstrohm

  • 功能描述:

    Trans MOSFET P-CH 40V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R

  • 制造商:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    DUAL P-CHANNEL 40-V(D-S) MOSFET - Tape and Reel

  • 功能描述:

    DUAL P-CHANNEL 40-V(D-S) MOSFET - Cut TR(SOS)

  • 功能描述:

    MOSFET PP CH W/D DIOD 40V 8ASO8

  • 功能描述:

    MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40V, 8A,SO8

  • 功能描述:

    MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40V, 8A,SO8; Transistor

  • Polarity:

    P Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    -8A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    -40V; On Resistance

  • Rds(on):

    0.021ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    -10V; Power Dissipation

  • Pd:

    3.2W ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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