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SI5936DU-T1-GE3

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?ThermallyenhancedPowerPAK?ChipFET? package? -Smallfootprintarea? -Lowon-resistance? -Thin0.8mmprofile ?100Rgtested ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Network

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SI5936DU-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 30V 6.0A 10.4W 30mOhm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Vishay(威世)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
43048
原廠直銷,大量現(xiàn)貨庫存,交期快。價(jià)格優(yōu),支持賬期
 詢價(jià)
Vishay Siliconix
24+
PowerPAK? CHIPFET? 雙
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價(jià)
VISHAY/威世
24+
POWERPAK
54000
只做原廠渠道 可追溯貨源
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NA
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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更多SI5936DU-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-27 23:00:00

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