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SI6435DQ中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SI6435DQ
廠商型號(hào)

SI6435DQ

功能描述

30V P-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

110.02 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-7 17:30:00

SI6435DQ規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V – 20V).

Features

? –4.5 A, –30 V RDS(ON) = 40 m? @ VGS = –10 V RDS(ON) = 70 m? @ VGS = –4.5 V

? Extended VGSS range (±20V) for battery applications

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? Low profile TSSOP-8 package

Applications

? Battery protection

? DC/DC conversion

? Power management

? Load switch

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    SI6435DQ

  • 功能描述:

    MOSFET 30V/25V PCh MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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