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SI7772DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
SI7772DP-T1-GE3 |
| 功能描述 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| 文件大小 |
483.15 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
13 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Vishay Siliconix |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Vishay【威世科技】 |
| 中文名稱(chēng) | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-15 22:30:00 |
| 人工找貨 | SI7772DP-T1-GE3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SI7772DP-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V 35.6A 29.8W 13mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
V |
2020+ |
VFDFPN8 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
VBsemi |
21+ |
QFN8 |
10020 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SO-8 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
2790 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
24+ |
PowerPAK? SO-8 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SO-8 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
DFN5*6 |
502609 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
新年份 |
DFN56 |
69520 |
一級(jí)代理原裝正品現(xiàn)貨,支持實(shí)單! |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay(威世) |
24+ |
N/A |
11800 |
可配單提供樣品 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
PAKSO8 |
20000 |
原裝正品 歡迎咨詢(xún) |
詢(xún)價(jià) |
