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SI7858BDP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC安富世紀一部

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  • 廠家型號：

    SI7858BDP-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY/威世

  • 庫存數(shù)量：

    50000

  • 產(chǎn)品封裝：

    QFN

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-7 13:00:00

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原廠料號：SI7858BDP-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨

  • 芯片型號：

    SI7858BDP-T1-GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導體

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    13 頁

  • 文件大小：

    361.28 kb

  • 資料說明：

    N-Channel 12 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    SI7858BDP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市安富世紀電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝云

  • 手機：

    19924902278

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83204142

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A棟17e

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