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SI7884BDP-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V高捷芯城科技

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  • 廠家型號(hào)：

    SI7884BDP-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY(威世)

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    9908

  • 產(chǎn)品封裝：

    PowerPAK-SO-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-7 16:12:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：SI7884BDP-T1-GE3品牌：VISHAY(威世)

支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。

  • 芯片型號(hào)：

    SI7884BDP-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名稱(chēng)：

    微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大小：

    1095.59 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel 40 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    SI7884BDP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市高捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機(jī)：

    13352985419

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83061789

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)華富路1006號(hào)航都大廈10層

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