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SI7904BDN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET Dual P-Ch 20V 30mohm @ 4.5V一線半導(dǎo)體3部
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書(shū)下載
產(chǎn)品屬性
- 類(lèi)型
描述
- 型號(hào):
SI7904BDN-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET Dual P-Ch 20V 30mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
云小姐/廖小姐
- 手機(jī):
19168775913
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-88608801
- 傳真:
0755-88608801
- 地址:
深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號(hào)華強(qiáng)花園C座7A
相近型號(hào)
- SI7904
- SI7904DN-T1
- SI7902EDN-T1-GE3
- SI7904DNT1E3
- SI7902EDN-T1-E3IC
- SI7904DN-T1-E3
- SI7902EDN-T1-E3
- SI7904DN-T1-E3(ROHS)
- SI7901EDN-T1-GE3
- SI7901EDNT1GE3
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- SI7909DN
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- SI7900EDN
- SI7909DNT1GE3
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- SI7909DN-T1-GE3
- SI7900DN-T1-E3
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- SI7900DN
- SI7911DN
- SI7911DN1-E3
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- SI7911DNT1E3
- SI7900AEDN-T1-GE3